Path: ...!news.mixmin.net!aioe.org!JnoN7cqFwrmxj/opy51fGg.user.46.165.242.75.POSTED!not-for-mail From: Olivier B. Newsgroups: fr.sci.electronique Subject: Re: =?ISO-8859-15?Q?Probl=E8me_de_claquage_d'un_MOSFET?= Date: Wed, 09 Nov 2022 17:13:01 +0100 Organization: Aioe.org NNTP Server Message-ID: References: <636aa261$0$2980$426a74cc@news.free.fr> <636bad01$0$25820$426a34cc@news.free.fr> Mime-Version: 1.0 Content-Type: text/plain; charset="iso-8859-15"; format=flowed Content-Transfer-Encoding: 8bit Injection-Info: gioia.aioe.org; logging-data="55257"; posting-host="JnoN7cqFwrmxj/opy51fGg.user.gioia.aioe.org"; mail-complaints-to="abuse@aioe.org"; X-Newsreader: MesNews/1.08.06.00 X-Notice: Filtered by postfilter v. 0.9.2 Bytes: 1605 Lines: 17 Dans son message précédent, JKB a écrit : > > Ne pas oublier que ça fonctionnait parfaitement avec les transistors > précédents. > Oui mais avec un RdsOn plus forte (et peut être des temps différents) qui pouvait dans une certaine mesure réduire le courant de crête durant des recouvrement et/ou éviter ces recouvrements. L'absence des protetions habituelles sur les mosfet (pics negatif etc...) me laisse un peu dubitatif, c'est aussi source de mauvais comportements, c'est un montage industriel ? Enfin, perso je mettrait une réisistance de puissance à la place du mosft qui claque afin d'essayer de mesurer les mics de courants sans claquer le matos. Là comme ça, pas plus d'idée mas courage !