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Message-ID: <ATJEsP28EZtSsXreSOljsu9gqMU@jntp>
JNTP-Route: news2.nemoweb.net
JNTP-DataType: Article
Subject: Re: NMOS gate driver
References: <DiOi6JsofB4J4h76E03kHUCLp5s@jntp> <st9h8r$4lb$1@dont-email.me> <RVlWBRF6JV-L9Drqj9imb5KqOVg@jntp>
 <Wf65QrTsa8v0xli1nCuFi9KPPZ0@jntp> <stdks5$nug$1@dont-email.me>
Newsgroups: fr.sci.electronique
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JNTP-ThreadID: sctmr2uPF6tyHNVMTO54aPoL0a8
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Bytes: 2062
Lines: 12

Le 02/02/2022 à 11:02, Volkin a écrit :
> Dans ce cas il faut des MOSFETs qui tiennent la tension 90 ou 150V et
> en même temps suffisamment passants quand la tension est normale
> voire très basse ( pendant le démarrage la tension Vbat
> s'écroule et la charge compense en augmentant le courant).
> 
> Or s'il faut tenir 10 fois la tension normale et 2 fois le
> courant normal le choix MOSFETs-N + pompe de charge peut être
> économiquement plus intéressant.
Bonjour Volkin,
merci pour toutes ces préconisations.
J'ai trouvé ceci qui devrait être un bon compromis:
https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/transistor/mosfet/rsj250p10fratl-e.pdf