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<stdks5$nug$1@dont-email.me>

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Path: ...!eternal-september.org!reader02.eternal-september.org!.POSTED!not-for-mail
From: Volkin <volkin@yahoo.caca>
Newsgroups: fr.sci.electronique
Subject: Re: NMOS gate driver
Date: Wed, 2 Feb 2022 11:02:50 +0100
Organization: A noiseless patient Spider
Lines: 45
Message-ID: <stdks5$nug$1@dont-email.me>
References: <DiOi6JsofB4J4h76E03kHUCLp5s@jntp> <st9h8r$4lb$1@dont-email.me>
 <RVlWBRF6JV-L9Drqj9imb5KqOVg@jntp> <Wf65QrTsa8v0xli1nCuFi9KPPZ0@jntp>
Mime-Version: 1.0
Content-Type: text/plain; charset=UTF-8; format=flowed
Content-Transfer-Encoding: quoted-printable
Injection-Date: Wed, 2 Feb 2022 10:02:45 -0000 (UTC)
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 SeaMonkey/2.49.2
Cancel-Lock: sha1:wWzThoGVj0P0DvcmuIbxU3O7OEc=
In-Reply-To: <Wf65QrTsa8v0xli1nCuFi9KPPZ0@jntp>
Bytes: 3014

Pascal06 wrote:
> Le 01/02/2022 =C3=A0 08:43, Pascal06 a =C3=A9crit :
>> Bonjour Volkin,
>> pas faux, l'argument se tient.
>> Je ne suis pas sp=C3=A9cialiste du silicium, mais la raison invoqu=C3=A9=
e par=20
>> les fabricants de ces drivers de mosfet est qu'un type P est plus gros=
=20
>> pour un m=C3=AAme Idmax et un m=C3=AAme Rdson qu'un type N...
> Bonjour,
> d=C3=A9cid=C3=A9ment je suis impardonnable. J'avais de c=C3=B4t=C3=A9 u=
n document pas plus=20
> tard qu'en d=C3=A9cembre dernier.
> Lire notamment la page 7 qui parle de la diff=C3=A9rence entre type N e=
t type P:
> https://www.infineon.com/dgdl/Reverse-Batery-Protection-Rev2.pdf?fileId=
=3Ddb3a304412b407950112b41887722615#page=3D7=20
>=20
>=20

Oui, le sch=C3=A9ma de la page 7 est tr=C3=A8s classique. Le Mosfet est p=
assant
quand la tension en entr=C3=A9e est sup=C3=A9rieure =C3=A0 Vgs et totalem=
ent ferm=C3=A9
quand elle est n=C3=A9gativ=C3=A9.

Contre une simple inversion de polarit=C3=A9 =C3=A7a suffit largement.

Parfois les normes automobile demandent plus. Pas exemple resister
aux erreurs de l'atelier quand les gens pour d=C3=A9marrer le moteur
mettent deux batteries en cascade plut=C3=B4t qu'en parall=C3=A8le ou qua=
nd
la batterie est d=C3=A9branch=C3=A9e alors que l'alternateur continue
=C3=A0 envoyer des pulses de charge directement sur le rail +BAT etc etc =
etc.

Dans ce cas il faut des MOSFETs qui tiennent la tension 90 ou 150V et
en m=C3=AAme temps suffisamment passants quand la tension est normale
voire tr=C3=A8s basse ( pendant le d=C3=A9marrage la tension Vbat
s'=C3=A9croule et la charge compense en augmentant le courant).

Or s'il faut tenir 10 fois la tension normale et 2 fois le
courant normal le choix MOSFETs-N + pompe de charge peut =C3=AAtre
=C3=A9conomiquement plus int=C3=A9ressant.