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<RVlWBRF6JV-L9Drqj9imb5KqOVg@jntp>

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Message-ID: <RVlWBRF6JV-L9Drqj9imb5KqOVg@jntp>
JNTP-Route: news2.nemoweb.net
JNTP-DataType: Article
Subject: Re: NMOS gate driver
References: <DiOi6JsofB4J4h76E03kHUCLp5s@jntp> <st9h8r$4lb$1@dont-email.me>
Newsgroups: fr.sci.electronique
JNTP-HashClient: MgoA94lrF3ncxXiIVXclgW8hq5Q
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Date: Tue, 01 Feb 22 07:43:07 +0000
Organization: Nemoweb
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From: Pascal06 <toto@toto.com>
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Lines: 11

Le 31/01/2022 à 21:36, Volkin a écrit :
> Et pourquoi pas un Mosfet P ?
> Ce serait moins cher qu'un Mosfet N + MIC5060, non ?
Bonjour Volkin,
pas faux, l'argument se tient.
Je ne suis pas spécialiste du silicium, mais la raison invoquée par les 
fabricants de ces drivers de mosfet est qu'un type P est plus gros pour un 
même Idmax et un même Rdson qu'un type N...
J'ai trouvé quelque chose qui fait exactement ce que je voulais, en fait 
un switch high-side suivi d'une diode sans seuil: 
https://www.analog.com/en/products/ltc4364.html#product-overview
Par contre évidemment c'est pas donné: environ 7€ !