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Subject: Re: NMOS gate driver
References: <DiOi6JsofB4J4h76E03kHUCLp5s@jntp> <st9h8r$4lb$1@dont-email.me> <RVlWBRF6JV-L9Drqj9imb5KqOVg@jntp>
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From: Pascal06 <toto@toto.com>
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Lines: 12

Le 01/02/2022 à 08:43, Pascal06 a écrit :
> Bonjour Volkin,
> pas faux, l'argument se tient.
> Je ne suis pas spécialiste du silicium, mais la raison invoquée par les 
> fabricants de ces drivers de mosfet est qu'un type P est plus gros pour un même 
> Idmax et un même Rdson qu'un type N...
Bonjour,
décidément je suis impardonnable. J'avais de côté un document pas plus 
tard qu'en décembre dernier.
Lire notamment la page 7 qui parle de la différence entre type N et type 
P:
https://www.infineon.com/dgdl/Reverse-Batery-Protection-Rev2.pdf?fileId=db3a304412b407950112b41887722615#page=7