Path: ...!eternal-september.org!reader02.eternal-september.org!.POSTED!not-for-mail
From: Volkin <volkin@yahoo.caca>
Newsgroups: fr.sci.electronique
Subject: Re: NMOS gate driver
Date: Tue, 1 Feb 2022 10:21:02 +0100
Organization: A noiseless patient Spider
Lines: 30
Message-ID: <stau1s$ffn$1@dont-email.me>
References: <DiOi6JsofB4J4h76E03kHUCLp5s@jntp> <st9h8r$4lb$1@dont-email.me>
 <RVlWBRF6JV-L9Drqj9imb5KqOVg@jntp>
Mime-Version: 1.0
Content-Type: text/plain; charset=UTF-8; format=flowed
Content-Transfer-Encoding: quoted-printable
Injection-Date: Tue, 1 Feb 2022 09:21:00 -0000 (UTC)
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In-Reply-To: <RVlWBRF6JV-L9Drqj9imb5KqOVg@jntp>
Bytes: 2310

Pascal06 wrote:
> Le 31/01/2022 =C3=A0 21:36, Volkin a =C3=A9crit :
>> Et pourquoi pas un Mosfet P ?
>> Ce serait moins cher qu'un Mosfet N + MIC5060, non ?
> Bonjour Volkin,
> pas faux, l'argument se tient.
> Je ne suis pas sp=C3=A9cialiste du silicium, mais la raison invoqu=C3=A9=
e par les=20
> fabricants de ces drivers de mosfet est qu'un type P est plus gros pour=
=20
> un m=C3=AAme Idmax et un m=C3=AAme Rdson qu'un type N...
> J'ai trouv=C3=A9 quelque chose qui fait exactement ce que je voulais, e=
n fait=20
> un switch high-side suivi d'une diode sans seuil:=20
> https://www.analog.com/en/products/ltc4364.html#product-overview
> Par contre =C3=A9videmment c'est pas donn=C3=A9: environ 7=E2=82=AC !

Sur une de mes cartes j'utilise un circuit de la famille, LTC4366.
Le client voulait une protection contre les "load dump" de 150V (c'=C3=A9=
tait
pour des bus avec la tension batterie 24V). C'est un circuit tr=C3=A8s ch=
er,
oui.

Le client voulait une puissance commut=C3=A9e =C3=A9lev=C3=A9e (120W) et =
je n'ai pas
trouv=C3=A9 de mosfets P avec Rds suffisamment bas pour le faire de fa=C3=
=A7on=20
simple, sans pompe de charge.